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专利名称:一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置

文章来源: 发布时间: 2021-05-25

专利名称:一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置

申 请 号 

CN2020213420789

申 请 日 

2020-07-08

公开(公告)号

CN212895090U

公开(公告)日 

2021-02-20

申请(专利权)人 

中国科学院合肥物质科学研究院

发 明 人 

孙贵花,张庆礼,刘文鹏,罗建乔,孙彧,高进云,韩松,郑丽丽,谷长江,何嘉伟

专利类型 

实用新型

摘 要 

本实用新型公开了一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置,泰无聊棋牌游戏中心:包括有底座、底部固定于底座上的油浴装置、设置于油浴装置内部的双层高硼硅玻璃封闭容器和固定于底座上的控制器。本实用新型采用油浴罐体进行油浴加热,并采用双层高硼硅玻璃封闭容器盛放酸液,双层高硼硅玻璃封闭容器具有耐高温耐腐蚀的特点,不易被酸碱腐蚀,且可确保酸液不会流到油浴罐体中,控制器采用多段可编程温控仪精确控制升降温速率,提高操作的方便性,同时避免升降温速度过快造成晶体元件开裂,从而快速去除大尺寸晶体元件表面的加工损伤。

主权项 

1.一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置,其特征在于:包括有底座、底部固定于底座上的油浴装置、设置于油浴装置内部的强酸盛放装置和固定于底座上的控制器;所述的油浴装置包括有油浴罐体、加热棒、温度传感器、搅拌轴和承重支架,所述的承重支架的底端固定于油浴罐体的内底面上,所述的搅拌轴的底端连接于油浴罐体内底面的中心位置处,所述的加热棒和温度传感器均固定连接于油浴搅拌罐内;所述的强酸盛放装置为置于承重支架顶端的双层高硼硅玻璃封闭容器;所述的控制器包括有固定于底座上的电源开关、加热开关、搅拌调节器和多段可编程温控仪,所述的加热开关和搅拌调节器均与电源开关连接,所述的多段可编程温控仪的供电端与加热开关连接,所述的搅拌轴驱动机构的控制端与搅拌调节器连接,所述的加热棒、温度传感器均与多段可编程温控仪连接。

2.根据权利要求 1 所述的一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置,其特征在于:所述的油浴罐体包括有静电喷塑外壳、套装固定于静电喷塑外壳内部的不锈钢内胆、固定于静电喷塑外壳和不锈钢内胆之间的隔热棉。

3.根据权利要求 1 所述的一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置,其特征在于:所述的油浴罐体的顶端密封连接有双层真空保温盖。

4.根据权利要求 1 所述的一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置,其特征在于:所述的双层高硼硅玻璃封闭容器包括有双层高硼硅玻璃筒和密封连接于双层高硼硅玻璃筒顶端的高硼硅玻璃盖。

5.根据权利要求 4 所述的一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置,其特征在于:所述的双层高硼硅玻璃筒的外径不大于油浴罐体内径的二分之一。

IPC信息 

IPC主分类号 

C30B33/10

IPC分类号 

C30B33/10|C30B33/02

C 化学;冶金

  C30 晶体生长〔3〕

   C30B 单晶生长(用超高压的,例如用于金刚石形成的入 B01J3/06);共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼(金属或合金的区熔精炼入 C22B);具有一定结构的均匀多晶材料的制备(金属铸造,按同样工艺或装置的其他物质铸造入 B22D;塑料的加工入 B29;改变金属或合金的物理结构入 C21D、C22F);单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理(用于半导体器件或元生产的入 H01L);其所用的装置〔3〕

   C30B33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理(C30B31/00 优先)〔3,5〕

     C30B33/02 ·热处理(C30B33/04、C30B33/06 优先)〔5〕

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